根据最新媒体报道，超级周期全球领先的存储存储芯片制造商三星电子(Samsung Electronics)在本月大幅上调某些关乎全球存储的重要存储芯片价格，与9月份相比最高上调了60%。逻辑这一调整主要是进步加强价格由于科技公司在全球范围内加大AI数据中心的建设，导致存储芯片出现严重短缺。短缺

具体而言，猛涨32GB级别的超级周期DDR5存储芯片模组在11月的合同价格从9月的149美元飙升至239美元，其他类别的存储高性能DDR5存储模组也普遍出现了60%的涨幅。这一举措进一步强化了存储“超级周期”这一市场的逻辑牛市叙事。

在谷歌、进步加强价格微软和Meta等科技巨头建设的短缺超大规模AI数据中心中，除去3D堆叠DRAM打造的猛涨HBM存储系统，服务器级别的超级周期DDR5存储也是不可或缺的核心资源。当前，存储AI服务器的逻辑DRAM容量往往是传统CPU服务器的4–8倍，不少单机配置已超1TB DRAM。DDR5相比DDR4具有约50%的带宽提升，更适合处理大量AI工作负载。

值得注意的是，由于SK海力士、三星和美光等公司将绝大部分产能集中于HBM存储系统，这导致DDR5、DDR4以及HDD与企业级SSD等广泛存储产品普遍供不应求。

全球两大存储巨头三星电子与SK海力士，以及西部数据和希捷等公司的业绩表现强劲，促使摩根士丹利等机构警示“存储超级周期”已经来临，显示出AI训练及推理算力需求的激增推动了DRAM/NAND系列存储产品的需求剧增，尤其是DRAM细分领域的HBM存储、服务器级别的DDR5及企业级SSD需求迅猛上升。

在供给短缺的情况下，三星电子已将DDR5存储价格上调最高达60%。媒体援引知情人士称，此次涨价是在三星决定推迟10月份的存储芯片供应合同定价公告之后实施的。根据半导体分销商Fusion Worldwide的数据显示，广泛使用的32GB DDR5存储芯片模组在11月份的报价跃升至239美元，远高于9月份的149美元。

知情人士还透露，16GB和128GB DDR5存储模组的价格分别上调至135美元和1,194美元，而更大容量的64GB和96GB DDR5价格也大幅上涨超过30%。这种严重的DRAM短缺引发了企业客户的抢购热潮。

KB证券的研究主管Jeff Kim提到，三星在HBM存储系统转型的过程中，其在氮气市场拥有更大的库存，因此在广泛存储芯片领域拥有更强的定价权。TrendForce的分析师Ellie Wang表示，预计三星在10月至12月期间将季度合约价格上调40%至50%。

从5000亿美元的“星际之门”AI基建项目以及OpenAI签署的接近1万亿美元的AI算力基础设施协议来看，超级AI基建项目正依赖英伟达的AI GPU算力集群和高性能存储产品。

在以AI模型迭代和数据中心扩建为核心的投资周期中，英伟达是最大赢家，紧随其后的是HBM存储器供应商及企业级高性能存储厂商。这些分布构成了“AI算力×存储”的双轮驱动。

摩根士丹利指出，SK海力士的“售罄”信号显示存储产能供应将愈发紧张，整个存储芯片行业已经进入“卖方市场”，价格上涨趋势不断延续至2026年，甚至可能持续至2027年。

在AI基建的热潮中，核心存储芯片的需求依然火爆，推动了HBM存储系统、服务器级别DDR5及企业级SSD等存储产品的营收大幅增长。摩根士丹利认为，本轮存储“超级周期”将可能超出历史高峰，核心驱动力已转向构建庞大AI算力基础设施的AI数据中心和云计算服务巨头，这些需求不再对价格敏感，形成了长期的战略性需求。